Версия для печати
Технические характеристики MAC97A8.412

Производитель	NXP
Количество в упаковке	5000 шт.
Вес	0.219 г
Attachment Method	600 В
Cavity D	0.6 А
Conductor Diameter	1.9 В
Conductor Insulation	10 мА
Время включения	2 мкс
Корпус	TO-92_BULK

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Симметричный триодный тиристор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ICE3B0365J		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W	INFINEON
		ICE3B0365J		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W		2	216.00
		ICE3B0365J		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W	Infineon Technologies
		ICE3B0365J		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.3A, Pout=W	1
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	DC COMPONENTS
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В		2 405	29.80
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YJ	2 436	41.49
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	HOTTECH	960	29.40
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	KOME
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	SUNTAN
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YANGJIE	3 200	33.88
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YANGJIE (YJ)
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	KLS
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YIXING	1 600	28.12
		TNY268G					108.00
		TNY268G			PI
		TNY268G			POWER INTEGRATIONS
		TNY268G			POWER INTEGRATIONS	36

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"