2N7002DW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
2N7002DW (FAIRCHILD.)	914	3-4 недели Цена по запросу
2N7002DW	9 600	2.26
2N7002DW (EVVO)	6 267	2.13
2N7002DW (YJ)	11 117	2.21

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002DW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	115mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002DW (MOSFET)

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor

2N7002DW datasheet
257.6 Кб