FDV302P
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDV302P (Мощные полевые МОП транзисторы) Digital FET, P-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74LVC1G3157GV | NXP |
|
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | NXP | 6 000 |
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV | PHILIPS | 59 |
|
||||
|
|
74LVC1G3157GV |
|
|
|||||
| ERA-1SM+ | MINI CIRCUITS |
|
|
|||||
| ERA-1SM+ |
|
|
||||||
| ERA-1SM+ |
|
|
||||||
| ERA-1SM+ | MINICIR |
|
|
|||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | 48 | 26.40 | |||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | NSC |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 334 |
|
||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LP2985AIM5-5.0 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
| MC78M09BDTRKG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC78M09BDTRKG | ONS |
|
|
|||||
| MC78M09BDTRKG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC78M09BDTRKG |
|
|
||||||
| TPS43060RTET | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS43060RTET |
|
|
||||||
| TPS43060RTET | TEXAS |
|
|
