RHRP15120
|
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 15A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC1206JRNPO9BN181 |
|
Керамический конденсатор 180 пФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| CC1206JRNPO9BN221 |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 50 В | YAGEO | 55 860 | 1.85 | |||
| CC1206JRNPO9BN221 |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 50 В |
|
|
||||
| IKW40N120T2 | INFINEON |
|
|
|||||
| IKW40N120T2 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IKW40N120T2 |
|
|
||||||
 |
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
 |
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOS |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ |
|
151.08 | ||
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ | FCS |
|
|
