|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
SMK
|
|
|
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
|
|
|
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
|
|
|
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
---
|
|
|
|
|
|
BA157 |
|
Диод 1A, 400V, 300ns
|
КИТАЙ
|
800
|
4.91
|
|
|
|
FA5591N |
|
|
FUJ
|
83
|
172.28
|
|
|
|
FA5591N |
|
|
|
|
|
|
|
|
FA5591N |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
60.48
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
|
1
|
63.00
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7309 |
|
Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
LITE-ON
|
5 668
|
6.61
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
54
|
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
|
|
|
|
|
|
LTV-817-B |
|
|
LIT
|
3 401
|
3.99
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LIT
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
26.28
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
|
|