2SC5244

Версия для печати

Технические характеристики 2SC5244

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	1500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	12
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	200
Корпус	TOP-3L

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HCNW2611-000E400
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VISHAY
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...			300.00
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	IXYS
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	Vishay/Siliconix
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	STMicroelectronics
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	КИТАЙ
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	INTERSIL
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	VBSEMI
IRFP460	N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...	JSMICRO	533	87.14
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		292	159.22
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
IRFPE50	N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	7	692.73
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...			491.08
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	КИТАЙ
IRG4PC40UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...	INFINEON
LM2903DG		TEXAS INSTRUMENTS
LM2903DG		ON SEMICONDUCTOR
LM2903DG		ON SEMIC
LM2903DG
LM2903DG		ON SEMICONDUCTOR
LM2903DG		ONSEMICONDUCTOR
LM2903DG		ONS