BAT54HT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BAT54HT1G (ON SEMICONDUCTOR)	8	5.04
BAT54HT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	3 238	3-4 недели Цена по запросу
BAT54HT1G (FUXIN)	16 752	1.08

Версия для печати

Технические характеристики BAT54HT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800mV @ 100mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Current - Average Rectified (Io)	200mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 25V
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	5ns
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-76, SOD-323
Корпус	SOD-323
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM18PG221SN1D				6.00
BLM18PG221SN1D		MURATA
BLM18PG221SN1D		MUR	21 536	1.36 >100 шт. 0.68
BLM18PG221SN1D		Murata Electronics North America
BLM18PG221SN1D		MURATA	11 428
BLM18PG221SN1D		MURATA*
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206			16.84
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	Murata Electronics North America
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MUR	13 748	5.54
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
SN74LVC1G08DCKR				18.60
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	2 400	12.79
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	12 148
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS
SN74LVC1G08DCKR		YOUTAI	14 639	3.24
SN74LVC1G08DCKR		UMW	176	5.90
SN74LVC1G08DCKR		UMW-YOUTAI
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G97DCKR				39.20
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	887
SN74LVC1G97DCKR		TEXAS