FDC5614P
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 759pF @ 30V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDC5614P (Мощные полевые МОП транзисторы) 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
