FDMC3612
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 880pF @ 50V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-WDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-MLP (3.3x3.3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS 116 JVP | NXP |
|
|
|||||
| CWF-6R (B) |
|
|
||||||
| CWF-6R (B) | CONNFLY |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 10 242 | 6.68 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 49 407 | 3.63 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS | 2 076 | 15.39 | |||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS SEMI | 9 944 |
|
|||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | STMicroelectronics |
|
|
|||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA |
|
|
||||
 |
 |
TPS2552DBVT |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
TPS2552DBVT |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
|
TPS2552DBVT |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
TPS2552DBVT |
|
|
|
