FDN337N
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Power - Max | 460mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | 3-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDN337N (MOSFET) N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATXMEGA32A4U-AU | ATMEL |
|
|
|||||
| ATXMEGA32A4U-AU |
|
|
||||||
| ATXMEGA32A4U-AU | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| CAT16-104J4LF | BOURNS |
|
|
|||||
| CAT16-104J4LF |
|
|
||||||
 |
MAX485ECSA | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX485ECSA |
|
208.08 | |||||
| ST3485EBDR | ST MICROELECTRONICS | 2 416 | 275.52 | |||||
| ST3485EBDR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| ST3485EBDR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| ST3485EBDR | 1 728 | 129.68 | ||||||
| ST3485EBDR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| ST3485EBDR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| ST3485EBDR | YOUTAI | 9 143 | 33.02 | |||||
 |
|
YC164-JR-07330KL |
|
Yageo | 17 144 |
0.87 >500 шт. 0.29 |
||
|
|
|
YC164-JR-07330KL |
|
|
|
