FQP30N06

Версия для печати

Технические характеристики FQP30N06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	945pF @ 25V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP30N06 (MOSFET)

60V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP30N06 datasheet
660.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	193.80
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	121.20
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 756	56.56
СВЕРЛО 1.0 ММ				45.20
СВЕРЛО 1.5 ММ				45.20
СВЕРЛО 2.0 ММ				45.20
СВЕРЛО 2.3 ММ