|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
47МКФ50В(6.3X11)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
47МКФ50В(6.3X11)105°C |
|
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
|
99.80
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
YOUTAI
|
1 169
|
34.50
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
|
|
377.52
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
FAIRCHILD
|
1
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
ONS
|
2 548
|
182.66
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
RHRP15120 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
|
|
151.08
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TLP250 |
|
Оптрон IGBT GATE DR.2.5кВ
|
FCS
|
|
|
|