|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 75A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Current - Average Rectified (Io) | 75A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 250µA @ 1200V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
Тип монтажа | Through Hole, Radial |
Корпус (размер) | TO-247-2 |
Корпус | TO-247 |
Product Change Notification | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G30N60A4 | Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г. | FAIR | ||||||
G30N60A4 | Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г. | 835.20 | ||||||
IRG4PF50W | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRG4PF50W | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | 377.52 | ||||||
IRG4PF50W | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | МЕКСИКА | ||||||
IRG4PF50W | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz | INFINEON | ||||||
IRG4PF50WD | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRG4PF50WD | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | 468.40 | ||||||
IRG4PF50WD | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | МЕКСИКА | ||||||
IRG4PF50WD | Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz) | INFINEON |
|