FGH60N60SFDTU

IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247

Версия для печати

Технические характеристики FGH60N60SFDTU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
Power - Max	378W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FGH60N60SFDTU datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	96 595	2.06
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	332 489	1.40
1N4007		DIOTEC	77 782	3.37
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	1 690	1.47
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	800	6.12
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			249 805	1.92 >100 шт. 0.96
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	84	1.98
1N4007		HOTTECH	91 231	1.42
1N4007		KLS	42 400	2.95
1N4007		YS
1N4007		YANGJIE	29 600	1.82
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG
1N4007		KUU	2	1.22 >100 шт. 0.61
1N4007		CHINA	15 317	1.02
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	93 000	2.30
1N4007		TWGMC	86 084	1.12 >100 шт. 0.56
1N4007		CTK
1N4007		JUXING	125	2.42
BC817-40LT3G		ON SEMICONDUCTOR
BC817-40LT3G		ONS
BC817-40LT3G
BC817-40LT3G		PH / NXP
BC817-40LT3G		PH/NXP	58	4.41
CRA2512-FZ-R050ELF	Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт	BOURNS
CRA2512-FZ-R050ELF	Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт	Bourns Inc
CRA2512-FZ-R050ELF	Чип резистор токочувствительный , пленочный, 0.05Ом, 1%,3Вт
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		80	430.70
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC	1	377.85
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	528	444.76
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	5	453.24
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
FGH40N60SFDTU	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
RT114012	Реле SPDT 12A 12В DC	TYCO
RT114012	Реле SPDT 12A 12В DC	TE Connectivity
RT114012	Реле SPDT 12A 12В DC
RT114012	Реле SPDT 12A 12В DC	TE

FGH60N60SFDTU

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают: