5EHDVC-03P
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL31B104KBCNNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL31B104KBCNNNC | SAMSUNG | 72 283 | 1.45 | |||||
| CL31B104KBCNNNC |
|
|
||||||
 |
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | 13 | 107.28 | |||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INFINEON | 254 | 151.27 | ||
|
|
IRF5210PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 14 |
|
||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 3 180 | 6.01 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 7 929 | 6.42 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI | 72 | 12.05 | |||||
| MJD50T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD50T4G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MJD50T4G |
|
|
||||||
| MJD50T4G | ON SEMICONDUCTOR | 157 |
|
|||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | VISHAY | 4 800 | 17.71 | |||||
| VS-30BQ040-M3/9AT | 2 456 | 31.01 |
