Версия для печати
Технические характеристики HGTG20N60A4D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
Power - Max	290W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

HGTG20N60A4D 600V, SMPS series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Производитель: Intersil Corporation //www.intersil.com HGTG20N60A4D datasheet 353.72Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		APPA 67		Мультиметр цифровой 0,1 мВ - 600В, 0,1 мкА-10 А, 0,1 Ом-32 МОм, 1нФ-3000 мкФ	APPA
		APPA 67		Мультиметр цифровой 0,1 мВ - 600В, 0,1 мкА-10 А, 0,1 Ом-32 МОм, 1нФ-3000 мкФ		34	7 794.76
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		93	430.70
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC	1	377.85
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	528	440.58
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	5	452.64
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц		1	457.60
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	МЕКСИКА
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INFINEON
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	IR/VISHAY	15	755.70
		XTEAWT-00-0000-00000BEE7			CREE
		XTEAWT-00-0000-00000BEE7

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"