|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY12V-1SU |
|
ISP-MC 8 BIT 1,8-5,5V 1K-Flash 1,2MHz
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY12V-1SU |
|
ISP-MC 8 BIT 1,8-5,5V 1K-Flash 1,2MHz
|
|
|
104.80
|
|
|
|
ATTINY12V-1SU |
|
ISP-MC 8 BIT 1,8-5,5V 1K-Flash 1,2MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
|
60 000
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
6 208
|
2.83
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
239
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
97 680
|
1.67
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
YJ
|
149 602
|
1.39
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
JSCJ
|
39 342
|
1.32
|
|
|
|
BZX84C18 |
|
Cтабилитрон универсальный 18В, 0.2Вт
|
NXP
|
6 759
|
2.10
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
|
936.00
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
394 641.06
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
953
|
385.58
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SQP 5 ВТ 10 ОМ, 5% |
|
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 180
|
180.27
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 320
|
345.95
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|