SIS412DN-T1-GE3
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Power - Max | 15.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® 1212-8 |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B82559A9153A020, 15 МКГН, 15.3 А | EPCOS |
|
|
|||||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA | 12 372 | 26.40 | |||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MUR | 904 |
1.12 >100 шт. 0.56 |
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 |
|
3.40 | ||||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA |
|
|
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| BLM18PG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0603 | MURATA* |
|
|
|||
| FH12A-40S-0.5SH[55] | HI | 408 | 114.16 | |||||
| FH12A-40S-0.5SH[55] |
|
|
||||||
 |
 |
LQM18FN100M00D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MUR | 97 378 | 4.32 | ||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
|
|||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MURATA | 3 520 | 3.94 | ||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 179 | 5.90 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 64 998 | 3.90 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
