|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
ON SEMICONDUCTOR
|
33
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
40
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
PHILIPS
|
8
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
|
102
|
34.02
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
FULIHAO TECH
|
4
|
12.40
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
1
|
|
|
|
|
|
LM224D |
|
Счетверенный операционный усилитель -25 +85
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
156
|
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
47
|
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
ONS
|
616
|
19.17
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2902DR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
ST MICROELECTRONICS
|
12 628
|
12.78
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
|
11 812
|
6.10
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
628
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2902DT |
|
Счетверенный ОУ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
520
|
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
|
1 460
|
27.75
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
ИНТЕГРАЛ
|
880
|
49.14
|
|
|
|
КР1533ТМ8 |
|
(SN74ALS175N)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
520
|
8.40
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.21
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 920
|
48.56
|
|