Версия для печати
Технические характеристики 2SD1409

Корпус	TO-220NIS
Корпус (размер)	SC-67
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 4A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SD1409 (Дискретные сигналы) SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com 2SD1409 datasheet 74.13Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3030			FUJI ELECTRIC
		2SC3467		Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)	SANYO
		2SC3467		Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)			37.16
		2SC3467		Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)	SAN
		2SC3467		Биполярный транзистор NPN (200V, 0.1A, 1W, 150MHz)	СИНГАПУР
		2SC5609			HITACHI
		2SC5609			HIT
		2SC5609				5	91.20
		CXA1352AS		AUD стереоэквалайзер пятиполосный, рег.громкости	SONY
		CXA1352AS		AUD стереоэквалайзер пятиполосный, рег.громкости			260.92
		CXA1352AS		AUD стереоэквалайзер пятиполосный, рег.громкости	1
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ИНТЕГРАЛ
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,			16.80
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	UTC
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	МИНСК
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FAIR
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ST MICROELECTRONICS
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FAIRCHILD
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	FSC
		MJE13001		Транзистор структуры NPN, 600В,	ONS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"