AO3414
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 436pF @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
AO3414 N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Также в этом файле: AO3414L
Производитель:
|
