BCW66G
Транзистор биполярный SMD
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 350mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BCW 65 NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) Также в этом файле: BCW 66G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BL-B2134M G | BRIGHTLED |
|
|
|||||
| BL-B2134M G |
|
|
||||||
| BL-B2134M G | BRI |
|
|
|||||
| BT-M322RD G | BRIGHTLED |
|
|
|||||
| BT-M322RD G | BRI |
|
|
|||||
| BT-M326RD R | BRIGHTLED |
|
|
|||||
| BT-M326RD R | BRI |
|
|
|||||
| BT-M326RD R |
|
|
||||||
| EZV-F35-330МКФM | HITANO |
|
|
|||||
| SMAJ13CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 400W 13V SMA | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| SMAJ13CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 400W 13V SMA |
|
10.00 | ||||
| SMAJ13CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 400W 13V SMA | STMicroelectronics |
|
|
|||
| SMAJ13CA-TR |
|
Защитный диод двунаправленный 400W 13V SMA | DC COMPONENTS | 34 | 7.99 |
