DMG1016V-7
|
MOSFET N+P 20V 870MA SOT563
|
Версия для печати
Технические характеристики DMG1016V-7
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 870mA, 640mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Power - Max | 530mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
