Версия для печати
Технические характеристики FDB52N20TM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	UniFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	52A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	357W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D²PAK

FDB52N20TM datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		C630 (ABE), 15 A, 250 В, 6.35Х30 ММ			CONQUER
		LM78M05CDT/NOPB			NSC
		LM78M05CDT/NOPB			National Semiconductor
		LM78M05CDT/NOPB			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM78M05CDT/NOPB			TEXAS INSTRUMENTS
		LM78M05CDT/NOPB			TEXAS INSTRUMEN
		LM78M05CDT/NOPB			TEXAS
		LM78M05CDT/NOPB
		SDT12S60		диод Шоттки 12A 600B TO220-2	PANJIT
		SDT12S60		диод Шоттки 12A 600B TO220-2	INFINEON
		SDT12S60		диод Шоттки 12A 600B TO220-2			1 792.72
		SDT12S60		диод Шоттки 12A 600B TO220-2	Infineon Technologies
		SDT12S60		диод Шоттки 12A 600B TO220-2	INFINEON TECH
		STW45NM60		N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	24	629.75
		STW45NM60		N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STW45NM60		N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STW45NM60		N-channel 650v@tjmax - 0.09? - 45a - to-247 mdmesh™ power mosfet			1 218.52

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"