|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.9nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 235pF @ 10V |
Power - Max | 460mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | 3-SSOT |
Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
FDN357N (MOSFET) N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HCNR200-300E | Avago Technologies US Inc | |||||||
HCNR200-300E | AVAGO | |||||||
HCNR200-300E | AGILENT TECHNOLOGIES | |||||||
HCNR200-300E | AVAGO TECHNOLOGIES | |||||||
HCNR200-300E | ||||||||
HCNR200-300E | BRO/AVAG | |||||||
HCNR200-300E | BROADCOM | |||||||
M24C64-RMN6P | STMicroelectronics | |||||||
M24C64-RMN6P | ST MICROELECTRONICS SEMI | 1 985 | ||||||
M24C64-RMN6P | ST MICROELECTRONICS | |||||||
M24C64-RMN6P | 400 | 29.92 | ||||||
MAX14626ETT+ | MAX | |||||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | BM | 163 | 10.09 | ||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | |||||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | |||||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | CONNFLY | ||||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | KLS | 3 595 | 2.06 | ||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | NXU | ||||||
PBS-2 | Розетка на плату 1 ряд 2 контакта, прямая , шаг 2,54мм, 500В, 1А | NLT | ||||||
PBS9-G | HSUAN MAO |
|