FDS6680A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDS6680A (TECH PUB)	5 008	23.52

Версия для печати

Технические характеристики FDS6680A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1620pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDS6680AS

30v N-channel Powertrench Syncfet

Также в этом файле: FDS6680AS_NL

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDS6680A datasheet
556.16Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AMC1117-3.3SKT		ADD MICROTECH CORPORATION
AMC1117-3.3SKT		ADD MICROTECH CORPORATION	666
AMC1117-3.3SKT
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	33	38.38
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...
LH400M0470BPF-3050	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400В, 20%	YAGEO
LH400M0470BPF-3050	Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400В, 20%
SDR0805-4R7ML		BOURNS
SDR0805-4R7ML
SDR0805-4R7ML		ВОURNS
ЧИП 0805 53.6К 1%		YAGEO