Технические характеристики FMB5551
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Power - Max | 700mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
Корпус | 6-SSOT |
Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru