FQP6N60C

Версия для печати

Технические характеристики FQP6N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	810pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP6N60C (MOSFET)

600V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP6N60C datasheet
931.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 100/35V 0611 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 35В, 105С			10.00
ECAP 100/35V 0611 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 35В, 105С	JAMICON
ECAP 100/35V 0611 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 35В, 105С	JAM
ECAP 100/35V 0611 105C	Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 35В, 105С	JB
ECAP 3300/16V 1225 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ, 16 В	SAMWHA
ECAP 3300/16V 1225 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ, 16 В	JAMICON
ECAP 3300/16V 1225 105C RD	Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ, 16 В			54.00
ST13003-K		STMicroelectronics
ST13003-K		ST MICROELECTRONICS
ST13003-K			26	46.80
ST13003-K		ST MICROELECTR
ST13003-K		STMICROELECTR
THERM.FUSE TZD-157°(10A)		CHINA
UC3842ANZ		ON SEMIC
UC3842ANZ
UC3842ANZ		ONSEMICONDUCTOR