|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
6.63
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
59 298
|
2.67
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
96 800
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 600
|
1.39
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
11 448
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.77
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
240 159
|
1.97
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.32
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
7 060
|
2.61
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
122 151
|
1.06
|
|
|
|
KX-3H 12.0 MHZ |
|
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KX-3H 12.0 MHZ |
|
|
|
|
50.00
|
|
|
|
KX-3H 12.0 MHZ |
|
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
MC33152DR2G |
|
|
|
|
95.20
|
|
|
|
MC33152DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33152DR2G |
|
|
ONS
|
1 360
|
186.96
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.24
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
WEINTRON TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
|
10 404
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
DIOTEC
|
3 637
|
1.60
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
364
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NXP
|
27
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
52
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
INFINEON
|
61
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
HOTTECH
|
148 836
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
SEMTECH
|
4
|
1.80
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FUXIN
|
15 040
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YJ
|
282 360
|
1.08
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
JSCJ
|
254 418
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
FULIHAO TECH
|
1 920
|
8.86
|
|
|
|
MMBT3904 |
|
Транзистор биполярный NPN, 250 мВт, 40В, 300МГц
|
NEXPERIA
|
800
|
2.84
|
|
|
|
ZTT-12MHZ |
|
Резонатор 3-штырьковый 12 MHz керамический с проволочными выводами, встроенная емкость ...
|
SJK
|
|
|
|
|
|
ZTT-12MHZ |
|
Резонатор 3-штырьковый 12 MHz керамический с проволочными выводами, встроенная емкость ...
|
|
|
19.80
|
|