LF412CD
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 4.5mA |
| Напряжение входного смещения | 800µV |
| Ток - входного смещения | 50pA |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 |
|
37.48 | |||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 45 |
|
||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | Texas Instruments |
|
|
||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||
|
|
LF353D |
|
Микросхема операционный усилитель JFET 1 | TEXAS |
|
|
||
|
|
LM833M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM833M |
|
46.52 | |||||
|
|
LM833M | NSC | 4 | 107.10 | ||||
|
|
LM833M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 121 |
|
||||
|
|
LM833M | ФИНЛЯНДИЯ |
|
|
||||
|
|
LM833M | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM833M | TEXAS |
|
|
||||
| MC33078DR2G | ON SEMICONDUCTOR | 1 368 | 40.00 | |||||
| MC33078DR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33078DR2G |
|
|
||||||
| MC33078DR2G | ONS |
|
|
|||||
| MC33078DR2G | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| TL3016CD | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TL3016CD |
|
572.80 | ||||||
| TL3016CD | TEXAS INSTRUMENTS | 272 |
|
|||||
| TL3016CD | TEXAS |
|
|
