MBT2222ADW1T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBT2222ADW1T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	2 558	3-4 недели Цена по запросу

TRANS NPN GP 600MA 40V SOT-363

Версия для печати

Технические характеристики MBT2222ADW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Wire Change 08/Jun
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	150mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBT2222ADW1T1G datasheet