Версия для печати
Технические характеристики MOC3043SM

Количество каналов	1
Voltage - Isolation	7500Vpk
Тип выхода	AC, Triac, Zero Cross
Корпус	6-SMD
Корпус (размер)	6-SMD
Тип монтажа	Поверхностный
Current - DC Forward (If)	60mA
Current - Hold (Ih)	400µA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	5mA
Voltage - Off State	400V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	AC, Triac, Zero Cross

MOC3043M (Оптроны) 6-PIN DIP ZERO-CROSS OPTOISOLATORS TRIAC DRIVER OUTPUT (250 / 400 VOLT PEAK) Также в этом файле: MOC3043SM Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com MOC3043SM datasheet 525.09Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототиристор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель	PH / NXP
		LM358(DIP-8)		Двухканальный операционный усилитель	PH/NXP	14	5.67
		LTV829		Оптрон 2-кан. 5кВ 50В >50%	LINEAR TECHNOLOGY
		LTV829		Оптрон 2-кан. 5кВ 50В >50%	LIT
		LTV829		Оптрон 2-кан. 5кВ 50В >50%			41.44
		LTV829		Оптрон 2-кан. 5кВ 50В >50%	ON SEMICONDUCTOR	1 484	16.00
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ON SEMICONDUCTOR
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).			51.60
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ONS
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ON SEMIC
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ON SEMICONDUCTOR	184
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ONSEMICONDUCTOR
		MC33064P-5G		Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).	ON SEMICONDUCTO
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	3 804	22.63
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		11 111	9.49
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	0.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	YOUTAI	33 000	5.05
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TI (TEXAS INSTRUMENTS)	18 000	12.74
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW	2 720	6.89
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW-YOUTAI
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"