NSTB60BDW1T1G


Купить NSTB60BDW1T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSTB60BDW1T1G
Версия для печати

Технические характеристики NSTB60BDW1T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition140MHz
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-88
Product Change NotificationWire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход