Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
Product Change Notification | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
78L08ABD13TR (L78L08ABD13TR) | ST MICROELECTRONICS | 1 996 | 10.00 | |||||
GRM21BR71E105KA99L | MURATA | 25 680 | 9.78 | |||||
GRM21BR71E105KA99L | MURATA | |||||||
GRM21BR71E105KA99L | Murata Electronics North America | |||||||
GRM21BR71E105KA99L | MUR | 32 808 | 1.27 | |||||
GRM21BR71E105KA99L | ||||||||
GRM21BR71E105KA99L | MURA | |||||||
JRB1E331M03500800120000B | JB | |||||||
JRB1E331M03500800120000B | ||||||||
MC78L12ABDR2G | Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MC78L12ABDR2G | Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ONS | ||||||
MC78L12ABDR2G | Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MC78L12ABDR2G | Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | ON SEMICONDUCTO | ||||||
MC78L12ABDR2G | Стабилизатор напряжения +12V 0,1A | |||||||
SA555DR | TEXAS INSTRUMENTS | 13 | 12.60 | |||||
SA555DR | TEXAS | |||||||
SA555DR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
SA555DR | 43 040 | 26.40 | ||||||
SA555DR | TEXAS INSTRUMEN | |||||||
SA555DR | YOUTAI | 8 168 | 6.42 |
|