NTHS5404T1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTHS5404T1G (ON SEMICONDUCTOR.)	4 210	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTHS5404T1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 5.2A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHS5404 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Power MOSFET 20 V, 7.2 A, N-Channel ChipFETE

Также в этом файле: NTHS5404T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

NTHS5404T1G datasheet
61.07Kb
6стр.