|
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 200mA, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 400mA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 5V |
Power - Max | 225mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT91SAM7S64-AU-001 | 16/32- бит микроконтроллер (32-bit RISC arch., 16-bit instr. set, 64K Flash, 16K SRAM, ... | ATMEL | ||||||
AT91SAM7S64-AU-001 | 16/32- бит микроконтроллер (32-bit RISC arch., 16-bit instr. set, 64K Flash, 16K SRAM, ... | 892.84 | ||||||
ATSAM3U4C | ATMEL | |||||||
CC1150RST | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
M24LR64-RDW6T/2 | ||||||||
M24LR64-RDW6T/2 | ST MICROELECTRONICS | |||||||
M24LR64-RDW6T/2 | STMicroelectronics | |||||||
M24LR64-RDW6T/2 | ФРАНЦИЯ | |||||||
M24LR64-RDW6T/2 | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
SN65220DBVT | SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
SN65220DBVT | SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V | 84.60 | ||||||
SN65220DBVT | SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V | TEXAS INSTRUMENTS | 75 | |||||
SN65220DBVT | SMD защитная диодная матрица USB 1xДвунаправленный 60W 6V | TEXAS |
|