PDTC114YM,315
|
TRANS NPN 50V 100MA SOT883 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-101, SOT-883 |
| Корпус | SC-101 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | SGP07N120 РњРѕРТвЂР ЎС“ль IGBT 1200Р В РІР‚в„ў 16.5A 125Р’С‚ РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | 2Р РњР“18Р В РІР‚ВР В РЎСџР В РЎСљ7Р В Р Рѓ1Р•1ІГерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…ые РцвысокогерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…ые СЃРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†Р Р†РЎвЂ№Р С—олнены блочныРСВРцРІРСвЂР  В»Р С”Р°РСВРцРТвЂР  В»РЎРЏ сочлененРСвЂР РЋР РЏ Р РЋР С“ кабельныРСВРцнегерРСВетРСвЂР ЎвЂЎР Р…С‹РСВРцрозеткаРСВР В РЎвЂ. РЎРѕРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…Р СвЂР ЎвЂљР ВµР В»Р С†РЎРѓР С•РЎРѓРЎвЂљР С•РЎРЏРЎвЂљ Р В РЎвЂР В Р’В· ... 1504.40 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | TC4Y-14R ОтлРСвЂР ЎвЂЎР СвЂР ЎвЂљР ВµР В»РЎРЉР Р…ые особенностРц* КороткРСвЂР  в„– Р В РЎвЂР  Р…тервал Р В РЎвЂР В Р’В·Р В РЎВеренРСвЂР  в„–: 100 Р В РЎВР РЋР С“; * РћР±СЉРµРТвЂР В РЎвЂР  Р…енные выхоР҆ТТРФУ Рцрелейный выхоРТвЂ; : выхоР҆ТТРФУ РїСЂРµРТвЂР  С•РЎРѓРЎвЂљР В°Р Р†Р В»РЎРЏР ВµРЎвЂљ РІРѕР·РСВожность ... РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
