PDTD123ET,215


Купить PDTD123ET,215 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
PDTD123ET,215 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
Версия для печати

Технические характеристики PDTD123ET,215

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


PDTD123ET,215 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход