PHKD3NQ10T,518
|
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
