UPW1E101MED

CAP ALUM 100UF 25V 20% RADIAL

Версия для печати

Технические характеристики UPW1E101MED

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PW
Емкость	100µF
Voltage Rating	25V
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Lifetime @ Temp.	2000 Hrs @ 105°C
Рабочая температура	-55°C ~ 105°C
Возможности	General Purpose
Ripple Current	290mA
Impedance	250 mOhm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial, Can
Size / Dimension	0.248" Dia (6.30mm)
Высота	0.433" (11.00mm)
Lead Spacing	0.098" (2.50mm)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

UPW1E101MED datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOSHIBA
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	TOS
2SA1360	Транзистор PNP 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SC3423)	ISCSEMI
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	TOSHIBA
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	TOS
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)			48.28
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	СИНГАПУР
2SC3423	Биполярный транзистор NPN 180V, 0.05A, 5W, 200MHz (Comp. 2SA1360)	ISCSEMI
L79L05ABZ-AP		ST MICROELECTRONICS	41	31.94
L79L05ABZ-AP				20.80
L79L05ABZ-AP		STMicroelectronics
L79L05ABZ-AP		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
L79L05ABZ-AP		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
LM4040AIM3-2.5		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM4040AIM3-2.5		NSC
LM4040AIM3-2.5				210.68
LM4040AIM3-2.5		NATIONAL SEMICONDUCTOR	310
LM4040AIM3-2.5		TEXAS INSTRUMENTS
LM4040AIM3-2.5		TEXAS INSTRUMENTS	172
NJM78L05UA-TE1		JRC	3 839	15.30
NJM78L05UA-TE1