Версия для печати
Технические характеристики 1N5361BG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	Surmetic™
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	27V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 20.6V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	5W
Impedance (Max) (Zzt)	5 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	T-18, Axial
Корпус	Axial
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C
Product Change Notification	Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIR
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns		2	75.60
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	FAIRCHILD
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	SIGNETICS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	STMicroelectronics
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	Fairchild Semiconductor
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	NATIONAL SEMIC
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	ONS
		LM319N		Компаpатоp сдвоенный +-18V 80ns	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 386	12.31
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet			557.60
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
		STP8NK100Z		N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.2			ERSA
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.2					640.00
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.2			ШВЕЙЦАРИЯ
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7			ERSA
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7					576.00
		ОПЛЕТКА С ФЛЮСОМ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 2.7			ШВЕЙЦАРИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"