Версия для печати
Технические характеристики 293D106X9020B2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	10µF
Номинальное напряжение	20V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.100 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D106X9020B2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	12 287	2.81
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	18 306	2.74
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	94 879	1.96  >100 шт.   0.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		22 398	1.84  >100 шт.   0.92
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.88
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	11 024	1.92  >100 шт.   0.96
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	5.90
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	203 812	1.97
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	81 600	1.18  >100 шт.   0.59
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP	4 752	5.84
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт		15 720	3.10
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS	160
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ГОНКОНГ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	КИТАЙ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	320	10.14
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	HOTTECH	12 160	6.76
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	0.00
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	DIOTEC	3 388	7.06
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ASEMI
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	YJ	60 254	3.90
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	KOME	1 100	5.40
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SUNTAN	1 352	3.30
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	XSEMI	7 680	4.96
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В	YAGEO	30 992	1.50  >100 шт.   0.75
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	YAGEO	129 775	1.63
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206			13.36
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC1206JR-07820KL			YAGEO	95 080	0.63  >500 шт.   0.21
		RC1206JR-07820KL			YAGEO
		RC1206JR-07820KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"