2N7002V

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002V

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	280mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	250mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-666
Корпус	SOT-563F
Product Change Notification	Mold Compound Change 20/Aug/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7002V (MOSFET)

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

2N7002V datasheet
118.3 Кб