| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B013MF |
|
|
GAINTA
|
629
|
689.57
|
|
|
|
|
B013MF |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
26 331
|
3.48
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
4 014
|
2.24
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
466
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
 |
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL4504-000E |
|
Фототранзистор 1канал, 1.7В, ток выхода 8мА
|
|
2
|
325.08
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
140
|
380.86
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STW9N150 |
|
N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 200
|
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
VISHAY
|
1 896
|
124.42
|
|
|
|
|
VS-10ETF12-M3 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
