|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
BOURNS
|
235
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-201E |
|
Подстроечный резистор 200 Ом
|
|
|
|
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
HEWLETT PACKARD
|
1 523
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
1 684
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MUR
|
634
|
21.36
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
|
|
24.60
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
SDR0503-153JL |
|
|
|
|
31.88
|
|
|
|
SDR0503-153JL |
|
|
BOURNS
|
|
|
|