Версия для печати
Технические характеристики BFG540/X,215

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Frequency - Transition	9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Power - Max	400mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 40mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)	120mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143B

BFG540/X,215 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74LVC04AD,112			NXP Semiconductors
		74LVC04AD,112			NXP
		74LVC04AD,112			NEX
		74LVC04AD,112
		CERCAP 1.0P/50V 0805 CNPO		Керамический конденсатор 1 пФ 50 В	YAGEO
		CERCAP 2.0P/50V 0805 CNPO		Керамический конденсатор 2 пФ 50 В	YAGEO
		MC3371D				803	207.68
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...			131.32
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	RENESAS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS	10
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	CEL
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	ЯПОНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"