BT139-600E,127
|
TRIAC 600V 16A TO220AB |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Triac Type | Logic - Sensitive Gate |
| Тип монтажа | Выводной |
| Конфигурация | Single |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 45mA |
| Voltage - Off State | 600V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 10mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 155A, 170A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 16A |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Корпус | TO-220AB |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCM1205X | JLW |
|
|
|||||
| HCM1205X | 22 941 | 20.57 | ||||||
| HCM1205X | JL WORLD | 8 | 108.24 | |||||
| HCM1205X | HXD |
|
|
|||||
| HCM1205X | RUICHI | 14 913 | 29.37 | |||||
 |
 |
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс | ONS |
|
|
|
|
|
|
MR856G |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс |
|
41.96 | ||
| R19-20IBRBT2-G | SWITRONIC | 1 211 | 137.76 | |||||
| R19-20IBRBT2-G | 12 | 70.00 | ||||||
| R19-20IBRBT2-G | SWITR | 160 | 141.84 | |||||
| TSRN 1-2433SM | TRACO | 32 | 2 216.87 | |||||
| TSRN 1-2433SM |
|
|
||||||
 |
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | 1 | 27.20 | ||
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ... | RUS |
|
|
