|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
G0477 |
|
|
GAINTA
|
568
|
1 746.36
|
|
|
|
G0477 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
1 260
|
28.93
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
51.30
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 107
|
12.17
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
|
10 067
|
9.19
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LD1117S33TR |
|
СН ``low drop`` (Vinmax=15V, Vout=3.3V, tol=1%, I=0,95A, Udrop=1V@1A, 0 to +125C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
PDTC143ZT.215 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PDTC143ZT.215 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
PDTC143ZT.215 |
|
|
|
|
|
|
|
|
PDTC143ZT.215 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
18 439
|
1.82
|
|
|
|
К73-17-0.33МКФ 400 (5%) |
|
|
|
|
|
|