CSD16409Q3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
CSD16409Q3 (TEXAS INSTRUMENTS)	88	18.00

Версия для печати

Технические характеристики CSD16409Q3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 12.5V
Power - Max	2.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16409Q3 (MOSFET)

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD16409Q3 datasheet
574.5 Кб