DG300-5.0-03P-12-00AH

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	VISHAY
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3	Vishay/Dale
CRCW12061K00FKEA	Чип резистор 0.25Вт, 1206, 1кОм, (1%) e3
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	INTERNATIONAL RECTIFIER
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА			189.08
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	ФИЛИППИНЫ
PVT412LS	Реле твердотельное 1 канальное AC/DC, 400В, 120мА	INFINEON
R1206-390 ОМ-5%			3 914	1.85
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 891	30.36
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	6 490	37.80
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
ФТ-2К ГР.Б			2 018	52.50